Дослідники з Університету Південної Каліфорнії створили чип пам’яті, що стабільно працює при температурі до 700°C — це вище, ніж на поверхні Венери.

Результати опубліковані 12 квітня 2026 року у журналі Science. Про це повідомляє медіа про науку, технології та здоров’я КРВ.медіа з посиланням на матеріал Universetoday. Розробка відкриває можливості для космічних місій і роботи електроніки в екстремальних умовах.

Температурна межа електроніки як виклик

Більшість сучасних електронних пристроїв має критичне обмеження: вони перестають працювати при температурі близько 200°C. Це стосується як смартфонів і автомобільних систем, так і складних космічних апаратів.

Причина полягає у фізичних процесах усередині матеріалів — при нагріванні атоми починають зміщуватися, що призводить до руйнування електричних з’єднань і коротких замикань. Саме ця межа десятиліттями стримувала розвиток технологій для екстремальних середовищ.

Для порівняння, середня температура поверхні Венери становить близько 465°C. Більшість апаратів, зокрема радянські місії серії «Венера», змогли працювати там лише від кількох десятків хвилин до приблизно двох годин, після чого їхня електроніка виходила з ладу через перегрів.

Мемристор — новий тип пам’яті

Науковці представили пристрій, який називається «мемристор» — термін уже використовується і в українській науковій мові. Це елемент пам’яті, який може не лише зберігати інформацію, а й виконувати обчислення, змінюючи свій електричний опір залежно від попереднього стану. Такий принцип роботи іноді описують як «пам’ять опору».

Новий мемристор створений із поєднання матеріалів, здатних витримувати надвисокі температури: вольфраму (металу з найвищою температурою плавлення), оксиду гафнію (керамічного ізолятора) та графену — надтонкого шару вуглецю. Під час експериментів пристрій стабільно працював при 700°C — це гарячіше, ніж на поверхні Венери. Важливо, що ця температура не є межею: обмеженням стало лабораторне обладнання, а не сам чип.

Як графен захищає чип від руйнування

Ключову роль у стабільності пристрою відіграє графен. У звичайній електроніці при високій температурі атоми металів поступово переміщуються крізь ізоляційний шар. З часом це призводить до утворення провідного каналу між електродами — фактично короткого замикання, після якого пристрій виходить з ладу. У новій конструкції графен діє як бар’єр на атомному рівні. Його взаємодія з вольфрамом не дозволяє атомам закріплюватися і формувати провідні містки. Цей ефект підтверджено за допомогою електронної мікроскопії та комп’ютерного моделювання. Цікаво, що відкриття сталося випадково: команда працювала над іншим типом пристрою, коли виявила цю властивість і змогла перетворити її на відтворювану технологію.